货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.495596 | ¥11.50 |
10 | ¥10.244604 | ¥102.45 |
100 | ¥7.983804 | ¥798.38 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.9 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 7 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 0.35 mm
长度 1.53 mm
宽度 0.77 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.700 mg
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0CSD17585F5T
型号:CSD17585F5T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.495596 |
10+: | ¥10.244604 |
100+: | ¥7.983804 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.50