RF4E070BNTR
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RF4E070BNTR
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.774962 | ￥8324.89 |
| 6000 | ￥2.702885 | ￥16217.31 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 28.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 8.9 nC
耗散功率 2 W
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 4 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4E070BN
RF4E070BNTR 同类别型号
注
RF4E070BNTR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RF4E070BNTR
数据手册PDF。
RF4E070BNTR
型号：RF4E070BNTR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.774962 |
| 6000+： | ￥2.702885 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00