货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.353663 | ¥5.35 |
10 | ¥3.760015 | ¥37.60 |
100 | ¥1.897439 | ¥189.74 |
500 | ¥1.547584 | ¥773.79 |
1000 | ¥1.148174 | ¥1148.17 |
2000 | ¥0.966025 | ¥1932.05 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 270 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 1.2 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 0.65 mm
长度 1.7 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RW1E015RP
单位重量 3 mg
购物车
0RW1E015RPT2R
型号:RW1E015RPT2R
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.353663 |
10+: | ¥3.760015 |
100+: | ¥1.897439 |
500+: | ¥1.547584 |
1000+: | ¥1.148174 |
2000+: | ¥0.966025 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.35