
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥5.946947 | ¥5946.95 |
| 2000 | ¥5.649604 | ¥11299.21 |
| 5000 | ¥5.437164 | ¥27185.82 |
| 10000 | ¥5.257212 | ¥52572.12 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 214 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 53 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R280P7 SP001664942
单位重量 4 g
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0IPB60R280P7ATMA1
型号:IPB60R280P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥5.946947 |
| 2000+: | ¥5.649604 |
| 5000+: | ¥5.437164 |
| 10000+: | ¥5.257212 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00