货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥263.375763 | ¥263.38 |
10 | ¥234.671329 | ¥2346.71 |
100 | ¥205.982723 | ¥20598.27 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 17 ns
漏极电流 220 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1.09 mW
漏源电阻 7.5 mOhms
上升时间 38 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 58 ns
漏源击穿电压 200 V
栅源极阈值电压 3 V
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
类型 GigaMOS Power MOSFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN230N20T
型号:IXFN230N20T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥263.375763 |
10+: | ¥234.671329 |
100+: | ¥205.982723 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥263.38