
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.031936 | ¥14.03 |
| 10 | ¥12.581969 | ¥125.82 |
| 100 | ¥10.111179 | ¥1011.12 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 530 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 240 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 13.5 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP12N60NZ
型号:FDP12N60NZ
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.031936 |
| 10+: | ¥12.581969 |
| 100+: | ¥10.111179 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥14.03