货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.808597 | ¥11.81 |
10 | ¥10.36985 | ¥103.70 |
100 | ¥7.951123 | ¥795.11 |
500 | ¥6.284889 | ¥3142.44 |
1000 | ¥5.02802 | ¥5028.02 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.6 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.7 ns
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.5 ns
典型接通延迟时间 4.7 ns
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 15 mg
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0ZXMN2A03E6TA
型号:ZXMN2A03E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.808597 |
10+: | ¥10.36985 |
100+: | ¥7.951123 |
500+: | ¥6.284889 |
1000+: | ¥5.02802 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.81