货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.796172 | ¥9.80 |
10 | ¥8.773651 | ¥87.74 |
25 | ¥8.328892 | ¥208.22 |
100 | ¥6.246668 | ¥624.67 |
250 | ¥6.187176 | ¥1546.79 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 103 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK34E10N1,S1X
型号:TK34E10N1,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.796172 |
10+: | ¥8.773651 |
25+: | ¥8.328892 |
100+: | ¥6.246668 |
250+: | ¥6.187176 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.80