
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.096218 | ¥3288.65 |
| 6000 | ¥1.040499 | ¥6242.99 |
| 9000 | ¥0.966149 | ¥8695.34 |
| 30000 | ¥0.943862 | ¥28315.86 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG3401LSNQ-7
型号:DMG3401LSNQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.096218 |
| 6000+: | ¥1.040499 |
| 9000+: | ¥0.966149 |
| 30000+: | ¥0.943862 |
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