货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.569613 | ¥17.57 |
10 | ¥14.354749 | ¥143.55 |
100 | ¥11.163558 | ¥1116.36 |
500 | ¥9.462671 | ¥4731.34 |
1000 | ¥7.708201 | ¥7708.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 205 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 46 ns
正向跨导(Min) 3.2 S
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR5410TRPBF SP001557100
单位重量 330 mg
购物车
0IRFR5410TRPBF
型号:IRFR5410TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.569613 |
10+: | ¥14.354749 |
100+: | ¥11.163558 |
500+: | ¥9.462671 |
1000+: | ¥7.708201 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.57