货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥26.031785 | ¥26.03 |
10 | ¥23.380654 | ¥233.81 |
100 | ¥19.158709 | ¥1915.87 |
500 | ¥16.309188 | ¥8154.59 |
1000 | ¥13.754716 | ¥13754.72 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 127 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4310ZPBF SP001570588
单位重量 2 g
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0IRFB4310ZPBF
型号:IRFB4310ZPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.031785 |
10+: | ¥23.380654 |
100+: | ¥19.158709 |
500+: | ¥16.309188 |
1000+: | ¥13.754716 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.03