
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.285046 | ¥21.29 |
| 10 | ¥19.117332 | ¥191.17 |
| 100 | ¥15.665234 | ¥1566.52 |
| 500 | ¥13.335305 | ¥6667.65 |
| 1000 | ¥11.246627 | ¥11246.63 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 127 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB4310ZPBF SP001570588
单位重量 2 g
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0IRFB4310ZPBF
型号:IRFB4310ZPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.285046 |
| 10+: | ¥19.117332 |
| 100+: | ¥15.665234 |
| 500+: | ¥13.335305 |
| 1000+: | ¥11.246627 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.29