货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥356.217515 | ¥356.22 |
10 | ¥317.403517 | ¥3174.04 |
100 | ¥278.600947 | ¥27860.09 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 265 ns
漏极电流 310 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1.07 mW
漏源电阻 4 mOhms
上升时间 170 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 150 V
产品种类 分立半导体模块
类型 GigaMOS Trench T2 HiperFet
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN360N15T2
型号:IXFN360N15T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥356.217515 |
10+: | ¥317.403517 |
100+: | ¥278.600947 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥356.22