DMNH10H028SCT
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMNH10H028SCT
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
- 渠道：
- digikey
库存 ：4650
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.83396 | ￥19.83 |
| 10 | ￥17.723059 | ￥177.23 |
| 25 | ￥16.824864 | ￥420.62 |
| 100 | ￥12.620065 | ￥1262.01 |
| 250 | ￥12.499929 | ￥3124.98 |
| 500 | ￥10.697304 | ￥5348.65 |
| 1000 | ￥8.71405 | ￥8714.05 |
| 2500 | ￥8.593913 | ￥21484.78 |
| 5000 | ￥7.812597 | ￥39062.99 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 31.9 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
DMNH10H028SCT 同类别型号
注
DMNH10H028SCT品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMNH10H028SCT、查询DMNH10H028SCT代理商；
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替代型号
、DMNH10H028SCT
数据手册PDF
。
DMNH10H028SCT
型号：DMNH10H028SCT
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：4650 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.83396 |
| 10+： | ￥17.723059 |
| 25+： | ￥16.824864 |
| 100+： | ￥12.620065 |
| 250+： | ￥12.499929 |
| 500+： | ￥10.697304 |
| 1000+： | ￥8.71405 |
| 2500+： | ￥8.593913 |
| 5000+： | ￥7.812597 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.83