RW1C020UNT2R
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- 制造商编号：
- RW1C020UNT2R
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 2 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1C020UN
单位重量 6 mg
RW1C020UNT2R 同类别型号
注
RW1C020UNT2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RW1C020UNT2R
数据手册PDF。
RW1C020UNT2R
型号：RW1C020UNT2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00