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SQM200N04-1M7L_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQM200N04-1M7L_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 39.87237 39.87
10 35.778649 357.79
100 29.3127 2931.27

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 200 A

漏源电阻 1.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 291 nC

耗散功率 375 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 16 ns

正向跨导(Min) 181 S

上升时间 17 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 70 ns

典型接通延迟时间 22 ns

外形参数

高度 4.82 mm

长度 10.41 mm

宽度 9.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 1.600 g

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SQM200N04-1M7L_GE3

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型号:SQM200N04-1M7L_GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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1+: ¥39.87237
10+: ¥35.778649
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