货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.87237 | ¥39.87 |
10 | ¥35.778649 | ¥357.79 |
100 | ¥29.3127 | ¥2931.27 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 291 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 181 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 4.82 mm
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
购物车
0SQM200N04-1M7L_GE3
型号:SQM200N04-1M7L_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.87237 |
10+: | ¥35.778649 |
100+: | ¥29.3127 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.87