IPP60R190P6XKSA1
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- 制造商编号：
- IPP60R190P6XKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.580173 | ￥20.58 |
| 10 | ￥18.498769 | ￥184.99 |
| 100 | ￥14.869175 | ￥1486.92 |
| 500 | ￥12.216554 | ￥6108.28 |
| 1000 | ￥11.634813 | ￥11634.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP60R190P6XKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P6
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
190mOhm @ 7.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 630µ
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
11nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1750pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
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注
IPP60R190P6XKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPP60R190P6XKSA1
数据手册PDF
。
IPP60R190P6XKSA1
型号：IPP60R190P6XKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.580173 |
| 10+： | ￥18.498769 |
| 100+： | ￥14.869175 |
| 500+： | ￥12.216554 |
| 1000+： | ￥11.634813 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.58