
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.061121 | ¥26.06 |
| 50 | ¥20.663757 | ¥1033.19 |
| 100 | ¥17.71154 | ¥1771.15 |
| 500 | ¥15.743512 | ¥7871.76 |
| 1000 | ¥13.480381 | ¥13480.38 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 181 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP125N65S3R0
型号:FCP125N65S3R0
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.061121 |
| 50+: | ¥20.663757 |
| 100+: | ¥17.71154 |
| 500+: | ¥15.743512 |
| 1000+: | ¥13.480381 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.06