
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.630468 | ¥9.63 |
| 10 | ¥8.651006 | ¥86.51 |
| 100 | ¥6.955277 | ¥695.53 |
| 500 | ¥5.71426 | ¥2857.13 |
| 1000 | ¥4.734635 | ¥4734.64 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBC30PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFBC30PBF
型号:IRFBC30PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.630468 |
| 10+: | ¥8.651006 |
| 100+: | ¥6.955277 |
| 500+: | ¥5.71426 |
| 1000+: | ¥4.734635 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.63