货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.172441 | ¥23.17 |
10 | ¥20.812417 | ¥208.12 |
100 | ¥17.053491 | ¥1705.35 |
500 | ¥14.517071 | ¥7258.54 |
1000 | ¥12.24332 | ¥12243.32 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 195 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 271 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 115 ns
正向跨导(Min) 249 S
上升时间 120 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 180 ns
典型接通延迟时间 21 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB7730PBF SP001556128
单位重量 2 g
购物车
0IRFB7730PBF
型号:IRFB7730PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.172441 |
10+: | ¥20.812417 |
100+: | ¥17.053491 |
500+: | ¥14.517071 |
1000+: | ¥12.24332 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.17