STS26N3LLH6
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- 制造商编号：
- STS26N3LLH6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.734334 | ￥31.73 |
| 10 | ￥28.532567 | ￥285.33 |
| 25 | ￥26.917516 | ￥672.94 |
| 100 | ￥20.995663 | ￥2099.57 |
| 250 | ￥20.457312 | ￥5114.33 |
| 500 | ￥17.765561 | ￥8882.78 |
| 1000 | ￥15.073809 | ￥15073.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS26N3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.4mOhm @ 13A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
40nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4040pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.7W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
STS26N3LLH6 同类别型号
注
STS26N3LLH6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STS26N3LLH6
数据手册PDF。
STS26N3LLH6
型号：STS26N3LLH6
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.734334 |
| 10+： | ￥28.532567 |
| 25+： | ￥26.917516 |
| 100+： | ￥20.995663 |
| 250+： | ￥20.457312 |
| 500+： | ￥17.765561 |
| 1000+： | ￥15.073809 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.73