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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7.12 nC
耗散功率 28.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.4 ns
上升时间 11.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 13.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB1R4CH
单位重量 340 mg
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0TSM60NB1R4CH C5G
型号:TSM60NB1R4CH C5G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
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