货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.669114 | ¥17.67 |
10 | ¥15.741574 | ¥157.42 |
25 | ¥14.945846 | ¥373.65 |
100 | ¥11.209385 | ¥1120.94 |
250 | ¥11.102629 | ¥2775.66 |
500 | ¥9.501288 | ¥4750.64 |
1000 | ¥7.739813 | ¥7739.81 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD07N25-350H_GE3
型号:SQD07N25-350H_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.669114 |
10+: | ¥15.741574 |
25+: | ¥14.945846 |
100+: | ¥11.209385 |
250+: | ¥11.102629 |
500+: | ¥9.501288 |
1000+: | ¥7.739813 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.67