货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥27.012499 | ¥21610.00 |
1600 | ¥22.781649 | ¥36450.64 |
2400 | ¥21.642553 | ¥51942.13 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 98 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 103 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 48 ns
上升时间 43 ns
典型关闭延迟时间 161 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB33N60ET1-GE3
型号:SIHB33N60ET1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥27.012499 |
1600+: | ¥22.781649 |
2400+: | ¥21.642553 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00