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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.862768 | ¥8627.68 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 530 mV
栅极电荷 50.6 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.8 ns
上升时间 57.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.2 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN1019USN-13
型号:DMN1019USN-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.862768 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00