
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.697867 | ¥19.70 |
| 50 | ¥10.754278 | ¥537.71 |
| 100 | ¥9.835044 | ¥983.50 |
| 500 | ¥8.200626 | ¥4100.31 |
| 1000 | ¥7.836532 | ¥7836.53 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9.2 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB9N60APBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFB9N60APBF
型号:IRFB9N60APBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.697867 |
| 50+: | ¥10.754278 |
| 100+: | ¥9.835044 |
| 500+: | ¥8.200626 |
| 1000+: | ¥7.836532 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.70