货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 8.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 88 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 31 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0IRLR3802TRPBF
型号:IRLR3802TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00