货期:(7~10天)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥37.134366 | ¥29707.49 |
1600 | ¥31.796292 | ¥50874.07 |
2400 | ¥29.939629 | ¥71855.11 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SIHB17N80E-T1-GE3
型号:SIHB17N80E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
800+: | ¥37.134366 |
1600+: | ¥31.796292 |
2400+: | ¥29.939629 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00