DMN1019USN-13
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- 制造商编号：
- DMN1019USN-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.955661 | ￥5.96 |
| 10 | ￥4.837456 | ￥48.37 |
| 100 | ￥3.290198 | ￥329.02 |
| 500 | ￥2.467589 | ￥1233.79 |
| 1000 | ￥1.850632 | ￥1850.63 |
| 2000 | ￥1.696513 | ￥3393.03 |
| 5000 | ￥1.593565 | ￥7967.82 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 530 mV
栅极电荷 50.6 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.8 ns
上升时间 57.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.2 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN1019USN-13 同类别型号
注
DMN1019USN-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN1019USN-13
数据手册PDF
。
DMN1019USN-13
型号：DMN1019USN-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.955661 |
| 10+： | ￥4.837456 |
| 100+： | ￥3.290198 |
| 500+： | ￥2.467589 |
| 1000+： | ￥1.850632 |
| 2000+： | ￥1.696513 |
| 5000+： | ￥1.593565 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.96