货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.511075 | ¥4533.22 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.24 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 1.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
上升时间 8.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.9 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN10H220LVT-7
型号:DMN10H220LVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.511075 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00