BSB028N06NN3GXUMA1
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- 制造商编号：
- BSB028N06NN3GXUMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥40.496068 | ￥40.50 |
| 10 | ￥36.363817 | ￥363.64 |
| 100 | ￥29.22604 | ￥2922.60 |
| 500 | ￥24.011689 | ￥12005.84 |
| 1000 | ￥19.895416 | ￥19895.42 |
| 2000 | ￥18.523234 | ￥37046.47 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSB028N06NN3GXUMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
22A (Ta), 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.8mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 102µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
143nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12000pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W (Ta), 78W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
MG-WDSON-2, CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
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注
BSB028N06NN3GXUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSB028N06NN3GXUMA1
数据手册PDF
。
BSB028N06NN3GXUMA1
型号：BSB028N06NN3GXUMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥40.496068 |
| 10+： | ￥36.363817 |
| 100+： | ￥29.22604 |
| 500+： | ￥24.011689 |
| 1000+： | ￥19.895416 |
| 2000+： | ￥18.523234 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥40.50