SIHB17N80E-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB17N80E-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
- 渠道：
- digikey
库存 ：800
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥61.468972 | ￥61.47 |
| 10 | ￥51.64391 | ￥516.44 |
| 100 | ￥41.776458 | ￥4177.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
SIHB17N80E-T1-GE3 同类别型号
注
SIHB17N80E-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHB17N80E-T1-GE3
数据手册PDF。
SIHB17N80E-T1-GE3
型号：SIHB17N80E-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：800 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥61.468972 |
| 10+： | ￥51.64391 |
| 100+： | ￥41.776458 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥61.47