
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥6.38449 | ¥5107.59 |
| 1600 | ¥5.289947 | ¥8463.92 |
| 2400 | ¥4.925156 | ¥11820.37 |
| 5600 | ¥4.742732 | ¥26559.30 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 3.6 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 3.8 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FQB4N80TM
型号:FQB4N80TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥6.38449 |
| 1600+: | ¥5.289947 |
| 2400+: | ¥4.925156 |
| 5600+: | ¥4.742732 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00