STD120N4F6
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- 制造商编号：
- STD120N4F6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：1040
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.841126 | ￥27.84 |
| 10 | ￥23.157437 | ￥231.57 |
| 100 | ￥18.428794 | ￥1842.88 |
| 500 | ￥15.59393 | ￥7796.97 |
| 1000 | ￥13.23106 | ￥13231.06 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD120N4F6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4mOhm @ 40A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
65nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3850pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD120N4F6 同类别型号
注
STD120N4F6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STD120N4F6
数据手册PDF。
STD120N4F6
型号：STD120N4F6
品牌：ST
供货：锐单
库存：1040 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.841126 |
| 10+： | ￥23.157437 |
| 100+： | ￥18.428794 |
| 500+： | ￥15.59393 |
| 1000+： | ￥13.23106 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.84