SQD19P06-60L_T4GE3
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- 制造商编号：
- SQD19P06-60L_T4GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
- 渠道：
- digikey
库存 ：6962
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.575322 | ￥22.58 |
| 10 | ￥18.51748 | ￥185.17 |
| 100 | ￥14.401055 | ￥1440.11 |
| 500 | ￥12.206678 | ￥6103.34 |
| 1000 | ￥9.943572 | ￥9943.57 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SQD19P06-60L_T4GE3 同类别型号
注
SQD19P06-60L_T4GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQD19P06-60L_T4GE3
数据手册PDF。
SQD19P06-60L_T4GE3
型号：SQD19P06-60L_T4GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：6962 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.575322 |
| 10+： | ￥18.51748 |
| 100+： | ￥14.401055 |
| 500+： | ￥12.206678 |
| 1000+： | ￥9.943572 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.58