货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥2.747176 | ¥8241.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 104 ns
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 146 ns
典型接通延迟时间 9.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMP2006UFGQ-13
型号:DMP2006UFGQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.747176 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00