SQD30N05-20L_GE3
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- 制造商编号：
- SQD30N05-20L_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.367427 | ￥24.37 |
| 10 | ￥21.845682 | ￥218.46 |
| 100 | ￥17.033117 | ￥1703.31 |
| 500 | ￥14.070206 | ￥7035.10 |
| 1000 | ￥11.108147 | ￥11108.15 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 34 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SQD30N05-20L_GE3 同类别型号
注
SQD30N05-20L_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQD30N05-20L_GE3
数据手册PDF。
SQD30N05-20L_GE3
型号：SQD30N05-20L_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.367427 |
| 10+： | ￥21.845682 |
| 100+： | ￥17.033117 |
| 500+： | ￥14.070206 |
| 1000+： | ￥11.108147 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.37