SUD20N10-66L-GE3
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- 制造商编号：
- SUD20N10-66L-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.823255 | ￥9.82 |
| 10 | ￥8.690692 | ￥86.91 |
| 100 | ￥6.662479 | ￥666.25 |
| 500 | ￥5.266421 | ￥2633.21 |
| 1000 | ￥4.213136 | ￥4213.14 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 66 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 58 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 38 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SUD20N10-66L-BE3
单位重量 330 mg
SUD20N10-66L-GE3 同类别型号
注
SUD20N10-66L-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SUD20N10-66L-GE3
数据手册PDF。
SUD20N10-66L-GE3
型号：SUD20N10-66L-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.823255 |
| 10+： | ￥8.690692 |
| 100+： | ￥6.662479 |
| 500+： | ￥5.266421 |
| 1000+： | ￥4.213136 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.82