
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥740.919665 | ¥740.92 |
| 10 | ¥705.877925 | ¥7058.78 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 118 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 4 V, + 22 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 172 nC
耗散功率 427 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 44 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SCT3017ALHRC11
型号:SCT3017ALHRC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥740.919665 |
| 10+: | ¥705.877925 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥740.92