货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.686733 | ¥10.69 |
10 | ¥9.563256 | ¥95.63 |
100 | ¥7.456051 | ¥745.61 |
500 | ¥6.159121 | ¥3079.56 |
1000 | ¥4.862464 | ¥4862.46 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 95 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 130 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP55N06
型号:FDP55N06
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.686733 |
10+: | ¥9.563256 |
100+: | ¥7.456051 |
500+: | ¥6.159121 |
1000+: | ¥4.862464 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.69