IPB020NE7N3GATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPB020NE7N3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：1240
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥95.163548 | ￥95.16 |
| 10 | ￥63.917173 | ￥639.17 |
| 100 | ￥46.192206 | ￥4619.22 |
| 500 | ￥46.112194 | ￥23056.10 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB020NE7N3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 273µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
206nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
14400pF @ 37.5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020NE7N3GATMA1 相关产品
IPB020NE7N3GATMA1 同类别型号
注
IPB020NE7N3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购IPB020NE7N3GATMA1、查询IPB020NE7N3GATMA1代理商；
IPB020NE7N3GATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
IPB020NE7N3GATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到IPB020NE7N3GATMA1
替代型号
、IPB020NE7N3GATMA1
数据手册PDF
。
IPB020NE7N3GATMA1
型号：IPB020NE7N3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1240 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥95.163548 |
| 10+： | ￥63.917173 |
| 100+： | ￥46.192206 |
| 500+： | ￥46.112194 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥95.16