货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.761061 | ¥39.76 |
200 | ¥15.384389 | ¥3076.88 |
500 | ¥14.851019 | ¥7425.51 |
1000 | ¥14.584334 | ¥14584.33 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 470 A
漏源电阻 750 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 314 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 105 ns
正向跨导(Min) 310 S
上升时间 57 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 146 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0NVBLS0D7N06C
型号:NVBLS0D7N06C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.761061 |
200+: | ¥15.384389 |
500+: | ¥14.851019 |
1000+: | ¥14.584334 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥39.76