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DMT10H010LCT

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMT10H010LCT
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V TO220AB
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 9.062294 9.06
10 8.138525 81.39
25 7.67781 191.95
100 5.987546 598.75
250 5.834246 1458.56

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 98 A

漏源电阻 6.9 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.4 V

栅极电荷 53.7 nC

耗散功率 139 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 22 ns

上升时间 14.1 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 42.9 ns

典型接通延迟时间 11.6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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DMT10H010LCT

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型号:DMT10H010LCT

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥9.062294
10+: ¥8.138525
25+: ¥7.67781
100+: ¥5.987546
250+: ¥5.834246

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