货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥51.030364 | ¥51.03 |
10 | ¥45.803768 | ¥458.04 |
100 | ¥37.52647 | ¥3752.65 |
500 | ¥32.073757 | ¥16036.88 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP320N20N3 G SP000677842
单位重量 2 g
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0IPP320N20N3GXKSA1
型号:IPP320N20N3GXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥51.030364 |
10+: | ¥45.803768 |
100+: | ¥37.52647 |
500+: | ¥32.073757 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥51.03