货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥29.357221 | ¥29.36 |
10 | ¥26.421499 | ¥264.21 |
100 | ¥21.235451 | ¥2123.55 |
500 | ¥17.446712 | ¥8723.36 |
1000 | ¥14.455945 | ¥14455.94 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 85 S
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJ412EP-T1_GE3
型号:SQJ412EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥29.357221 |
10+: | ¥26.421499 |
100+: | ¥21.235451 |
500+: | ¥17.446712 |
1000+: | ¥14.455945 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥29.36