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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥2.339983 | ¥23399.83 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 25.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 860 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.7 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMT6030LFDF-13
型号:DMT6030LFDF-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥2.339983 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00