货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥15.013744 | ¥37534.36 |
5000 | ¥14.449355 | ¥72246.78 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 140 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 260 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
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0RS1E220ATTB1
型号:RS1E220ATTB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥15.013744 |
5000+: | ¥14.449355 |
货期:7-10天
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