SQS850EN-T1_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQS850EN-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
- 渠道：
- digikey
库存 ：1865
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.37906 | ￥10.38 |
| 10 | ￥9.22995 | ￥92.30 |
| 25 | ￥8.767835 | ￥219.20 |
| 100 | ￥6.57464 | ￥657.46 |
| 250 | ￥6.512118 | ￥1628.03 |
| 500 | ￥5.572814 | ￥2786.41 |
| 1000 | ￥4.539604 | ￥4539.60 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.3 ns
正向跨导（Min） 33 S
上升时间 9.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SQS850EN-T1_GE3 同类别型号
注
SQS850EN-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQS850EN-T1_GE3
数据手册PDF。
SQS850EN-T1_GE3
型号：SQS850EN-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1865 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.37906 |
| 10+： | ￥9.22995 |
| 25+： | ￥8.767835 |
| 100+： | ￥6.57464 |
| 250+： | ￥6.512118 |
| 500+： | ￥5.572814 |
| 1000+： | ￥4.539604 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.38