SQJ412EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ412EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：32997
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.660269 | ￥33.66 |
| 10 | ￥30.294243 | ￥302.94 |
| 100 | ￥24.348048 | ￥2434.80 |
| 500 | ￥20.003973 | ￥10001.99 |
| 1000 | ￥16.574832 | ￥16574.83 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导（Min） 85 S
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 45 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ412EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ412EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQJ412EP-T1_GE3
数据手册PDF。
SQJ412EP-T1_GE3
型号：SQJ412EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：32997 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥33.660269 |
| 10+： | ￥30.294243 |
| 100+： | ￥24.348048 |
| 500+： | ￥20.003973 |
| 1000+： | ￥16.574832 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.66