
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.713232 | ¥2139.70 |
| 6000 | ¥0.656344 | ¥3938.06 |
| 15000 | ¥0.590686 | ¥8860.29 |
| 30000 | ¥0.581975 | ¥17459.25 |
| 75000 | ¥0.546953 | ¥41021.47 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 9.8 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMN3025LFV-13
型号:DMN3025LFV-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.713232 |
| 6000+: | ¥0.656344 |
| 15000+: | ¥0.590686 |
| 30000+: | ¥0.581975 |
| 75000+: | ¥0.546953 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00