
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.621126 | ¥21.62 |
| 10 | ¥19.391798 | ¥193.92 |
| 100 | ¥15.889847 | ¥1588.98 |
| 500 | ¥13.526535 | ¥6763.27 |
| 1000 | ¥11.407945 | ¥11407.94 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 165 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 90 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0TK20E60W5,S1VX
型号:TK20E60W5,S1VX
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.621126 |
| 10+: | ¥19.391798 |
| 100+: | ¥15.889847 |
| 500+: | ¥13.526535 |
| 1000+: | ¥11.407945 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.62